Китайские учёные создали материал для памяти, которая выдержит 10 млрд перезаписей — в 100 раз больше обычного
Память нового поколения для перспективных систем искусственного интеллекта должна обладать более высокими быстродействием и надёжностью. Китайским учёным удалось добиться прорыва в этом направлении, продемонстрировав новую структуру, способную выдержать около 10 млрд циклов перезаписи, что в сотню раз превышает предыдущий предел. Источник изображения: Harrison Broadbent / unsplash.com
Ваша оценка:
Источник:
3dnews.ru