TSMC сообщила о прорыве в разработке транзисторов следующего поколения — она создала 2D-транзистор из дисульфида молибдена

08.08.2026 в 14:30 • 1 мин. чтения Просмотров: 4 • ID: #5992

Тайваньские учёные в сотрудничестве с инженерами TSMC разработали новый способ изготовления транзисторов на основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS₂), который позволяет существенно повысить эффективность управления током и приблизить двумерную электронику к производству микросхем. Проблемой были даже не материалы, а методы их соединения, когда атомы сближаются так тесно, что начинают резко влиять друг на друга. Источник изображения: National Yang Ming Chiao Tung University

Ваша оценка:
Источник: 3dnews.ru